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德國(guó) Sentech 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)

價(jià)  格：詢價(jià)

產(chǎn)  地：更新時(shí)間：2021-01-19 15:36

品  牌：型  號(hào)：PE-ALD

狀  態(tài)：正常點(diǎn)擊量：1933

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Sentech PE-ALD 等離子體增強(qiáng)原子層沉積
 
詳細(xì)介紹

PE-ALD 等離子體增強(qiáng)原子層沉積

原子層沉積（ALD）是在3D結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過(guò)在工藝循環(huán)過(guò)程中在真空腔室分步加入前置物實(shí)現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ALD性能的方法。

SENTECH基于多年研發(fā)制造PECVD和ICPECVD的經(jīng)驗(yàn)，包括專有的PTSA技術(shù)，推出***臺(tái)PEALD設(shè)備。新的ALD設(shè)備應(yīng)用SENTECH橢偏儀，使熱輔助和等離子輔助的操作和沉積過(guò)程都能得到監(jiān)控。
SENTECH使用激光橢偏儀和寬量程分光橢偏儀的前沿技術(shù)——超快在線橢偏儀來(lái)監(jiān)控逐層膜生長(zhǎng)。
***臺(tái)PEALD設(shè)備已經(jīng)在布倫瑞克科技大學(xué)（TU Braunschweig）投入使用，用于生長(zhǎng)超高均勻性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。
在Al2O3沉積過(guò)程中，三甲基鋁（TMA）等離子產(chǎn)生的氧原子反應(yīng)，襯底溫度為80到200℃。PEALD薄膜厚度均勻性高、折射率變化小的特點(diǎn)。
下圖是ALD與PEALD的沉積結(jié)果對(duì)比



產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品介紹




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